STP11NM60ND, Транзистор N-МОП, полевой, 600В, 6,3А, 90Вт, TO220-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 шт. со склада г.Москва
570 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 570 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 600В, 6,3А, 90Вт, TO220-3 Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Lead Shape | Through Hole |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 10 |
| Maximum Diode Forward Voltage (V) | 1.3 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 450@10V |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 600 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±25 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 5 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Maximum Positive Gate Source Voltage (V) | 25 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 90000 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Mounting | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Operating Junction Temperature (°C) | 150 |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 3 |
| Pin Count | 3 |
| PPAP | No |
| Process Technology | FDmesh II |
| Product Category | Power MOSFET |
| Standard Package Name | TO |
| Supplier Package | TO-220AB |
| Tab | Tab |
| Typical Fall Time (ns) | 9 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 30 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 30@10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 850@50V |
| Typical Rise Time (ns) | 7 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 50 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 16 |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 10 |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 450@10V |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 600 |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??25 |
| Maximum Gate Threshold Voltage - (V) | 5 |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 90000 |
| Military | No |
| Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 30 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 30@10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 850@50V |
| Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
