IXTA36N30P, Транзистор N-МОП, полевой, 300В, 36А, 300Вт, TO263
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 040 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 040 руб.
Описание
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 300В, 36А, 300Вт, TO263
Технические параметры
Brand: | IXYS |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 50 |
Fall Time: | 28 ns |
Id - Continuous Drain Current: | 36 A |
Manufacturer: | IXYS |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | TO-263-3 |
Packaging: | Tube |
Pd - Power Dissipation: | 300 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 70 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 110 mOhms |
Rise Time: | 30 ns |
Series: | IXTA36N30 |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 97 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 24 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 300 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
Вес, г | 1.54 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 295 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов