PSMN027-100PS,127, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 37А; Idm: 148А; 103Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
7 шт. со склада г.Москва
380 руб.
от 3 шт. —
330 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 380 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 37А; Idm: 148А; 103Вт
Технические параметры
Automotive | No |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Configuration | Single |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant with Exemption |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 37 |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 26.8@10V |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 100 |
Maximum Gate Source Voltage (V) | 20 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 103000 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Mounting | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Packaging | Rail |
Part Status | Active |
PCB changed | 3 |
Pin Count | 3 |
PPAP | No |
Product Category | Power MOSFET |
Standard Package Name | TO |
Supplier Package | TO-220AB |
Tab | Tab |
Typical Fall Time (ns) | 8.9 |
Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 30|24 |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 30@10V|24@10V |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1624@50V |
Typical Rise Time (ns) | 11.4 |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 29.6 |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 14.4 |
Brand: | Nexperia |
Channel Mode: | Enhancement |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 50 |
Id - Continuous Drain Current: | 37 A |
Manufacturer: | Nexperia |
Maximum Operating Temperature: | +175 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | TO-220-3 |
Packaging: | Tube |
Part # Aliases: | 934064326127 |
Pd - Power Dissipation: | 103 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 30 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 26.8 mOhms |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
Вес, г | 2 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.