Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › ST Microelectronics › STW88N65M5, , Полевой N-канальный транзистор ...

STW88N65M5, , Полевой N-канальный транзистор, 650В, 84А, 450Вт, корпус TO-247-3

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

8 шт. со склада г.Москва

3 520 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 3 520 руб.

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8026860561

Артикул: STW88N65M5

Бренд: STMicroelectronics

Описание

ТРАНЗИСТОРЫ\Транзисторы разные

The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge.

Технические параметры

Корпус	TO-247-3
MSL(Уровень чувствительности к влажности)	1
Диапазон рабочих температур	+150 °С
Емкость, пФ	8825
Заряд затвора, нКл	204
Максимально допустимое напряжение	затвор-исток(Vgs)±25 В
Максимальное напряжение сток-исток, В	650
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А	84
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм	29
Мощность	рассеиваемая(Pd)-450 Вт
Описание	N-Channel 650 V 84A(Tc)450W(Tc)Through Hole TO-247-3
Способ монтажа	Through Hole
Тип	MOSFET
Тип проводимости	N
Транспортная упаковка: размер/кол-во	584649/90
Упаковка	TUBE, 30 шт.
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	84 A
Maximum Drain Source Resistance	29 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	710 V
Maximum Gate Source Voltage	-25 V, +25 V
Maximum Gate Threshold Voltage	5V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	450 W
Minimum Gate Threshold Voltage	3V
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-247
Pin Count	3
Series	MDmesh M5
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	204 nC @ 10 V
Width	5.15mm
Вес, г	6