STW9NK90Z, , Транзистор полевой N-канальный, 900В, 8А, 160Вт, корпус TO- 247-3

Фото 1/5 STW9NK90Z, , Транзистор полевой N-канальный, 900В, 8А, 160Вт, корпус TO- 247-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
70 шт. со склада г.Москва, срок 3 дня
140 руб.
Кратность заказа 10 шт.
от 50 шт.120 руб.
Добавить в корзину 10 шт. на сумму 1 400 руб.
Альтернативные предложения3
Номенклатурный номер: 8026860562
Артикул: STW9NK90Z
Бренд: STMicroelectronics

Описание

ТРАНЗИСТОРЫ\Транзисторы разные
Стандартные продукты

Стандартные продукты STMicroelectronics представляют собой широкий спектр стандартных отраслевых и готовых замен для самых популярных аналоговых микросхем общего назначения, дискретных и последовательных EEPROM. Стандартные продукты производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, и многие из них сертифицированы AECQ для автомобильного применения. Полный набор вспомогательных средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, позволяет упростить добавление к проекту.

Технические параметры

Корпус TO-247-3
MSL(Уровень чувствительности к влажности) 1
Диапазон рабочих температур -55…+150 °С
Емкость, пФ 2115
Заряд затвора, нКл 72
Максимально допустимое напряжение затвор-исток(Vgs)±30 В
Максимальное напряжение сток-исток, В 900
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 8
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 1300
Мощность рассеиваемая(Pd)-160 Вт
Описание N-Channel 900 V 8A(Tc)160W(Tc)Through Hole TO-247-3
Способ монтажа Through Hole
Тип MOSFET
Тип проводимости N
Транспортная упаковка: размер/кол-во 58*46*46/600
Упаковка TUBE, 30 шт.
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current 8 A
Maximum Drain Source Resistance 1.3 Ω
Maximum Drain Source Voltage 900 V
Maximum Gate Source Voltage -30 V, +30 V
Maximum Gate Threshold Voltage 4.5V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 160 W
Minimum Gate Threshold Voltage 3V
Minimum Operating Temperature -55 °C
Mounting Type Through Hole
Number of Elements per Chip 1
Package Type TO-247
Pin Count 3
Series MDmesh, SuperMESH
Transistor Configuration Single
Transistor Material Si
Typical Gate Charge @ Vgs 72 nC @ 10 V
Width 5.15mm
Brand: STMicroelectronics
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 600
Fall Time: 28 ns
Id - Continuous Drain Current: 8 A
Manufacturer: STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: Through Hole
Number of Channels: 1 Channel
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Pd - Power Dissipation: 160 W
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Qg - Gate Charge: 72 nC
Rds On - Drain-Source Resistance: 1.3 Ohms
Rise Time: 13 ns
Series: STW9NK90Z
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Tradename: SuperMESH
Transistor Polarity: N-Channel
Transistor Type: 1 N-Channel
Type: MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time: 55 ns
Typical Turn-On Delay Time: 22 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 900 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -30 V, +30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 3 V
Вес, г 7

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 970 КБ
STW9NK90Z
pdf, 989 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.