STW9NK90Z, , Транзистор полевой N-канальный, 900В, 8А, 160Вт, корпус TO- 247-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
70 шт. со склада г.Москва, срок 3 дня
140 руб.
Кратность заказа 10 шт.
от 50 шт. —
120 руб.
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 1 400 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
ТРАНЗИСТОРЫ\Транзисторы разные
Стандартные продуктыСтандартные продукты STMicroelectronics представляют собой широкий спектр стандартных отраслевых и готовых замен для самых популярных аналоговых микросхем общего назначения, дискретных и последовательных EEPROM. Стандартные продукты производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, и многие из них сертифицированы AECQ для автомобильного применения. Полный набор вспомогательных средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, позволяет упростить добавление к проекту.
Технические параметры
Корпус | TO-247-3 | |
MSL(Уровень чувствительности к влажности) | 1 | |
Диапазон рабочих температур | -55…+150 °С | |
Емкость, пФ | 2115 | |
Заряд затвора, нКл | 72 | |
Максимально допустимое напряжение | затвор-исток(Vgs)±30 В | |
Максимальное напряжение сток-исток, В | 900 | |
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | 8 | |
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 1300 | |
Мощность | рассеиваемая(Pd)-160 Вт | |
Описание | N-Channel 900 V 8A(Tc)160W(Tc)Through Hole TO-247-3 | |
Способ монтажа | Through Hole | |
Тип | MOSFET | |
Тип проводимости | N | |
Транспортная упаковка: размер/кол-во | 58*46*46/600 | |
Упаковка | TUBE, 30 шт. | |
Channel Mode | Enhancement | |
Channel Type | N | |
Maximum Continuous Drain Current | 8 A | |
Maximum Drain Source Resistance | 1.3 Ω | |
Maximum Drain Source Voltage | 900 V | |
Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V | |
Maximum Gate Threshold Voltage | 4.5V | |
Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
Maximum Power Dissipation | 160 W | |
Minimum Gate Threshold Voltage | 3V | |
Minimum Operating Temperature | -55 °C | |
Mounting Type | Through Hole | |
Number of Elements per Chip | 1 | |
Package Type | TO-247 | |
Pin Count | 3 | |
Series | MDmesh, SuperMESH | |
Transistor Configuration | Single | |
Transistor Material | Si | |
Typical Gate Charge @ Vgs | 72 nC @ 10 V | |
Width | 5.15mm | |
Brand: | STMicroelectronics | |
Channel Mode: | Enhancement | |
Configuration: | Single | |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 600 | |
Fall Time: | 28 ns | |
Id - Continuous Drain Current: | 8 A | |
Manufacturer: | STMicroelectronics | |
Maximum Operating Temperature: | +150 C | |
Minimum Operating Temperature: | -55 C | |
Mounting Style: | Through Hole | |
Number of Channels: | 1 Channel | |
Package / Case: | TO-247-3 | |
Packaging: | Tube | |
Pd - Power Dissipation: | 160 W | |
Product Category: | MOSFET | |
Product Type: | MOSFET | |
Qg - Gate Charge: | 72 nC | |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.3 Ohms | |
Rise Time: | 13 ns | |
Series: | STW9NK90Z | |
Subcategory: | MOSFETs | |
Technology: | Si | |
Tradename: | SuperMESH | |
Transistor Polarity: | N-Channel | |
Transistor Type: | 1 N-Channel | |
Type: | MOSFET | |
Typical Turn-Off Delay Time: | 55 ns | |
Typical Turn-On Delay Time: | 22 ns | |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 900 V | |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V | |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V | |
Вес, г | 7 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.