STP12NM50FP, , Транзистор полевой N-канальный , 12А, 500В, 35Вт, корпус TO-220-3 Full Pack
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
635 шт. со склада г.Москва
290 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 10 шт. —
270 руб.
от 20 шт. —
269 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 1 450 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
ТРАНЗИСТОРЫ\Транзисторы разные
Стандартные продуктыСтандартные продукты STMicroelectronics представляют собой широкий спектр стандартных отраслевых и готовых замен для самых популярных аналоговых микросхем общего назначения, дискретных и последовательных EEPROM. Стандартные продукты производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, и многие из них сертифицированы AECQ для автомобильного применения. Полный набор вспомогательных средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, позволяет упростить добавление к проекту.
Технические параметры
| Корпус | TO-220-3 FP | |
| MSL(Уровень чувствительности к влажности) | 1 | |
| Диапазон рабочих температур | -65…+150 °С | |
| Емкость, пФ | 1000 | |
| Заряд затвора, нКл | 39 | |
| Максимально допустимое напряжение | затвор-исток(Vgs)±30 В | |
| Максимальное напряжение сток-исток, В | 500 | |
| Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | 12 | |
| Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 350 | |
| Мощность | рассеиваемая(Pd)-35 Вт | |
| Описание | N-Channel 500 V 12A(Tc)35W(Tc)Through Hole TO-220FP | |
| Способ монтажа | Through Hole | |
| Тип | MOSFET | |
| Тип проводимости | N | |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 56*46*41/1000 | |
| Упаковка | TUBE, 50 шт. | |
| Brand: | STMicroelectronics | |
| Channel Mode: | Enhancement | |
| Configuration: | Single | |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 | |
| Forward Transconductance - Min: | 5.5 S | |
| Id - Continuous Drain Current: | 12 A | |
| Manufacturer: | STMicroelectronics | |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C | |
| Minimum Operating Temperature: | -65 C | |
| Mounting Style: | Through Hole | |
| Number of Channels: | 1 Channel | |
| Package / Case: | TO-220-3 | |
| Packaging: | Tube | |
| Pd - Power Dissipation: | 35 W | |
| Product Category: | MOSFET | |
| Product Type: | MOSFET | |
| Qg - Gate Charge: | 39 nC | |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 350 mOhms | |
| Rise Time: | 10 ns | |
| Series: | STP12NM50FP | |
| Subcategory: | MOSFETs | |
| Technology: | Si | |
| Tradename: | MDmesh | |
| Transistor Polarity: | N-Channel | |
| Transistor Type: | 1 N-Channel | |
| Type: | MOSFET | |
| Typical Turn-On Delay Time: | 20 ns | |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 500 V | |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V | |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V | |
| Вес, г | 2.55 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 606 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
