SI7469DP-T1-GE3, , P-канальный MOSFET транзистор , -80 В, -28 А, 5.2 Вт (при Ta), 83.3 Вт (при Tc), корпус PowerPAK®SO-8 (Lead (Pb)-free

SI7469DP-T1-GE3, , P-канальный MOSFET транзистор , -80 В, -28 А, 5.2 Вт (при Ta), 83.3 Вт (при Tc), корпус PowerPAK®SO-8 (Lead (Pb)-free
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
240 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 10 шт.230 руб.
от 20 шт.211 руб.
Добавить в корзину 5 шт. на сумму 1 200 руб.
Номенклатурный номер: 8026860568
Артикул: SI7469DP-T1-GE3, , P-канальный MOSFET транзистор ,

Описание

ТРАНЗИСТОРЫ\Транзисторы разные

Технические параметры

Корпус PowerPAK®SO-8(Lead(Pb)-free and Halogen-free)
MSL(Уровень чувствительности к влажности) 1
Вес брутто 0.15
Диапазон рабочих температур -55…+150 °С
Емкость, пФ 4700
Заряд затвора, нКл 160
Максимально допустимое напряжение затвор-исток(Vgs)±20 В
Максимальное напряжение сток-исток, В 80
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 28
Напряжение пороговое затвора(Vgs th)-3 В
Описание P-Channel 80 V 28A(Tc)5.2W(Ta), 83.3W(Tc)Surface Mount PowerPAK® SO-8
Способ монтажа поверхностный(SMT)
Тип MOSFET
Тип проводимости P
Транспортная упаковка: размер/кол-во 56*46*36/400
Упаковка 3000

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов