APT35GN120L2DQ2G, Транзистор IGBT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 040 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 040 руб.
Технические параметры
Brand: | Microchip Technology |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 1.2 kV |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.7 V |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current at 25 C: | 94 A |
Continuous Collector Current Ic Max: | 94 A |
Continuous Collector Current: | 94 A |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1 |
Gate-Emitter Leakage Current: | 600 nA |
Manufacturer: | Microchip |
Maximum Gate Emitter Voltage: | -30 V, 30 V |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Operating Temperature Range: | -55 C to+150 C |
Package / Case: | TO-264MAX-3 |
Packaging: | Tube |
Pd - Power Dissipation: | 379 W |
Product Category: | IGBT Transistors |
Product Type: | IGBT Transistors |
Subcategory: | IGBTs |
Technology: | Si |
Вес, г | 15 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 240 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов