IXTP50N25T, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 250В, 50А, 400Вт, TO220-3, 166нс
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 280 руб.
от 3 шт. —
1 130 руб.
от 10 шт. —
875 руб.
от 50 шт. —
714.95 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 280 руб.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 250В, 50А, 400Вт, TO220-3, 166нс Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 50 A |
Pd - рассеивание мощности | 400 W |
Qg - заряд затвора | 78 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 60 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 250 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | HiPerFET |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 50 |
Серия | IXTP50N25 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Торговая марка | IXYS |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-220-3 |
Вес, г | 2.3 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 275 КБ
IXTA50N25T
pdf, 188 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов