PDTA143XT,215, Транзистор: PNP
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
23 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 дня
11 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 11 руб.
Альтернативные предложения4
Описание
Описание Транзистор: PNP
Технические параметры
Collector Current (Ic) | 100mA |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 100mV@10mA, 500uA |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 50@10mA, 5V |
Power Dissipation (Pd) | 250mW |
Transistor Type | One PNP-Pre-Biased |
Base resistor | 4.7kΩ |
Base-emitter resistor | 10kΩ |
Case | SOT23, TO236AB |
Collector current | 0.1A |
Collector-emitter voltage | 50V |
Current gain | 50 |
Frequency | 180MHz |
Kind of package | reel, tape |
Kind of transistor | BRT |
Manufacturer | NEXPERIA |
Mounting | SMD |
Polarisation | bipolar |
Power dissipation | 0.25W |
Type of transistor | PNP |
Вес, г | 0.008 |
Техническая документация
Datasheet PDTA143XT,215
pdf, 1331 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары