STB75NF75LT4, Транзистор N-МОП, полевой, 75В 75A 300Вт 0.011Ом D PAK
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 шт. со склада г.Москва
650 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 650 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 75В 75A 300Вт 0.011Ом DІPAK
Технические параметры
| Case | D2PAK |
| Drain current | 70A |
| Drain-source voltage | 75V |
| Features of semiconductor devices | ESD protected gate |
| Gate-source voltage | ±15V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Mounting | SMD |
| On-state resistance | 13mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 300W |
| Technology | SuperMesh™ |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 75 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 11 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 75 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -15 V, +15 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 300 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Pin Count | 3 |
| Series | STripFET II |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 75 nC @ 5 V |
| Width | 9.35mm |
| Вес, г | 0.2 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
