STL12P6F6, Транзистор (PowerFLAT-5x6-8),
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
100 шт. со склада г.Москва
270 руб.
от 15 шт. —
240 руб.
от 60 шт. —
222 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 270 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
транзисторы полевые импортные
STMicroelectronics STripFET VI Power MOSFETs
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Triple |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Fall Time: | 3.7 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 12 A |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package/Case: | PowerFLAT-5x6-8 |
| Pd - Power Dissipation: | 75 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 6.4 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 160 mOhms |
| Rise Time: | 5.3 ns |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 14 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 6.4 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1058 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
