TPH1110FNH,L1Q, Биполярный транзистор N-канал 250В 10А 95мОм SOP8
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1000 шт. со склада г.Москва, срок 6-7 дней
230 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 230 руб.
Описание
транзисторы биполярные импортные
MOSFET X35PBF Power MOSFET Transistr95ohm250V
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 10A(Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1100pF @ 100V |
| Manufacturer | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150В°C(TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.6W(Ta), 57W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 112 mOhm @ 5A, 10V |
| Series | U-MOSVIII-H |
| Supplier Device Package | 8-SOP Advance(5x5) |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 300ВµA |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
