SQJQ160E-T1_GE3, Биполярный транзистор
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
470 руб.
от 3 шт. —
400 руб.
от 12 шт. —
383 руб.
от 21 шт. —
382.97 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 470 руб.
Описание
транзисторы биполярные импортные
The Vishay Siliconix maintains Reliability data for Semiconductor Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 602 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0018 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | PowerPAK 8x8L |
| Pin Count | 4 |
| Series | N-Channel 60 V |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 232 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
