Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Infineon › IRFR5410PBF, DPAK/TO-252AA

IRFR5410PBF, DPAK/TO-252AA

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

130 руб.

Кратность заказа 2 шт.

Добавить в корзину 2 шт. на сумму 260 руб.

Номенклатурный номер: 8029063405

Артикул: IRFR5410PBF

Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

транзисторы полевые импортные

MOSFET, P-CH, -100V, -13A, TO-252AA; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-13A; Drain Source Voltage Vds:-100V; On Resistance Rds(on):0.205ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-4V; Power Dissipation Pd:66W; Transistor Case Style:TO-252AA; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:HEXFET Series; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)

Технические параметры

Крутизна характеристики S,А/В	3.2
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	-4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм	205
Температура, С	-55…+150
Automotive	No
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	P
Maximum Continuous Drain Current - (A)	13
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm)	205@10V
Maximum Drain Source Voltage - (V)	100
Maximum Gate Source Voltage - (V)	??20
Maximum Power Dissipation - (mW)	66000
Military	No
Number of Elements per Chip	1
Operating Temperature - (??C)	-55~150
Packaging	Tape and Reel
Pin Count	3
Process Technology	HEXFET
Standard Package Name	TO-252
Supplier Package	DPAK
Typical Gate Charge @ 10V - (nC)	58(Max)
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC)	58(Max)@10V
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF)	760@25V
Вес, г	0.4