IRG4PH40UDPBF, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 40 А, 160 Вт

Фото 1/3 IRG4PH40UDPBF, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 40 А, 160 Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 410 руб.
от 2 шт.1 270 руб.
от 8 шт.1 190 руб.
от 14 шт.1 134.90 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 410 руб.
Номенклатурный номер: 8030370515
Артикул: IRG4PH40UDPBF

Описание

IGBT транзисторы
Описание Транзистор БТИЗ, 1200В, 41А, 160Вт, TO247AC Характеристики
Категория Транзистор
Тип БТИЗ
Вид IGBT

Технические параметры

Category Discrete Semiconductor Products
Current - Collector (Ic) (Max) 41A
Current - Collector Pulsed (Icm) 82A
Family IGBTs-Single
Gate Charge 86nC
IGBT Type -
Input Type Standard
Mounting Type Through Hole
Online Catalog Standard IGBTs
Other Names *IRG4PH40UDPBF
Package / Case TO-247-3
Packaging Bulk
Power - Max 160W
Product Training Modules IGBT Primer Device and ApplicationsHigh Voltage Integrated Circuits(HVIC Gate Drivers)
Reverse Recovery Time (trr) 63ns
Series -
Standard Package 25
Supplier Device Package TO-247AC
Switching Energy 1.8mJ(on), 1.93mJ(off)
Td (on/off) @ 25°C 46ns/97ns
Test Condition 800V, 21A, 10 Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3.1V @ 15V, 21A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Вес, г 7.5

Техническая документация

Datasheet IRG4PH40UDPBF
pdf, 255 КБ
IRG4PH40UD Datasheet
pdf, 338 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов