IXTK120N25P, MOSFET 120 Amps 250V 0.024 Rds
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 380 руб.
от 10 шт. —
3 850 руб.
от 25 шт. —
3 070 руб.
от 50 шт. —
2 777.81 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 4 380 руб.
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
Описание Транзистор полевой IXTK120N25P от производителя IXYS – это высококачественный компонент для силовой электроники. Этот N-MOSFET предназначен для монтажа THT и способен управлять током стока до 120 А при напряжении сток-исток 250 В. Мощность транзистора достигает 700 Вт, что делает его идеальным выбором для мощных применений. Важной характеристикой является низкое сопротивление в открытом состоянии всего 0,024 Ом, что обеспечивает высокую эффективность и минимальные потери мощности. Корпус TO264 гарантирует надежность и удобство использования. Код товара IXTK120N25P подчеркивает уникальность этого полупроводникового элемента, обеспечивая легкость в поиске и идентификации продукта для покупателей и инженеров. Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | N-MOSFET |
Монтаж | THT |
Ток стока, А | 120 |
Напряжение сток-исток, В | 250 |
Мощность, Вт | 700 |
Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.024 |
Корпус | TO264 |
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 120 A |
Pd - рассеивание мощности | 700 W |
Qg - заряд затвора | 185 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 24 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 250 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 5 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 33 ns |
Время спада | 33 ns |
Высота | 26.16 mm |
Длина | 19.96 mm |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | PolarHT |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 50 S |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 25 |
Серия | IXTK120N25 |
Технология | Si |
Тип | PolarHT Power MOSFET |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 130 ns |
Типичное время задержки при включении | 30 ns |
Торговая марка | IXYS |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-264-3 |
Ширина | 5.13 mm |
California Prop 65 | Warning Information |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 120A (Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
ECCN | EAR99 |
FET Type | N-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 185nC @ 10V |
HTSUS | 8541.29.0095 |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8000pF @ 25V |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C (TJ) |
Package | Tube |
Package / Case | TO-264-3, TO-264AA |
Power Dissipation (Max) | 700W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24mOhm @ 60A, 10V |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Series | PolarHTв„ў -> |
Supplier Device Package | TO-264 (IXTK) |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±20V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 500ВµA |
Вес, г | 27.22 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов