Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › ST Microelectronics › BD139-10, Биполярный транзистор NPN 80В 1.5А ...

BD139-10, Биполярный транзистор NPN 80В 1.5А 12.5Вт TO-126

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

300 шт. со склада г.Москва, срок 4-5 дней

86 руб.

от 50 шт. — 34 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 86 руб.

Альтернативные предложения2

Посмотреть аналоги19

Номенклатурный номер: 8030709711

Артикул: BD139-10

Бренд: STMicroelectronics

Описание

транзисторы биполярные импортные

Стандартные продукты

Стандартные продукты STMicroelectronics представляют собой широкий спектр стандартных отраслевых и готовых замен для самых популярных аналоговых микросхем общего назначения, дискретных и последовательных EEPROM. Стандартные продукты производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, и многие из них сертифицированы AECQ для автомобильного применения. Полный набор вспомогательных средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, позволяет упростить добавление к проекту.

Технические параметры

кол-во в упаковке	50
Collector Emitter Voltage Max	80В
Continuous Collector Current	1.5А
DC Current Gain hFE Min	40hFE
DC Усиление Тока hFE	40hFE
Power Dissipation	1.25Вт
Квалификация	-
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Линейка Продукции	-
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Монтаж транзистора	Through Hole
Полярность Транзистора	NPN
Стиль Корпуса Транзистора	SOT-32
Частота Перехода ft	-
Brand:	STMicroelectronics
Collector- Base Voltage VCBO:	80 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	80 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:	500 mV
Configuration:	Single
DC Collector/Base Gain hfe Min:	63
Emitter- Base Voltage VEBO:	5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	2000
Manufacturer:	STMicroelectronics
Maximum DC Collector Current:	1.5 A
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Mounting Style:	Through Hole
Package / Case:	SOT-32-3
Packaging:	Tube
Pd - Power Dissipation:	1.25 W
Product Category:	Bipolar Transistors-BJT
Product Type:	BJTs-Bipolar Transistors
Series:	BD139
Subcategory:	Transistors
Technology:	Si
Transistor Polarity:	NPN
Automotive	No
Configuration	Single
ECCN (US)	EAR99
EU RoHS	Compliant with Exemption
Lead Shape	Through Hole
Material	Si
Maximum Collector Base Voltage (V)	80
Maximum Collector Cut-Off Current (nA)	100
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)	0.5@0.05A@0.5A
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)	80
Maximum DC Collector Current (A)	1.5
Maximum Emitter Base Voltage (V)	5
Maximum Operating Temperature (°C)	150
Maximum Power Dissipation (mW)	1250
Minimum DC Current Gain	63@150mA@2V
Minimum Operating Temperature (°C)	-65
Mounting	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Packaging	Tube
Part Status	Active
PCB changed	3
Pin Count	3
PPAP	No
Product Category	Bipolar Power
Standard Package Name	SOT
Supplier Package	SOT-32
Supplier Temperature Grade	Industrial
Tab	Tab
Type	NPN
Maximum Collector Base Voltage	80 V
Maximum Collector Emitter Voltage	80 V
Maximum DC Collector Current	3 A
Maximum Emitter Base Voltage	5 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	1.25 W
Mounting Type	Through Hole
Package Type	SOT-32
Transistor Configuration	Single
Transistor Type	NPN
Base Part Number	BD139
Current - Collector (Ic) (Max)	1.5A
Current - Collector Cutoff (Max)	100nA(ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	40 @ 150mA, 2V
Manufacturer	STMicroelectronics
Operating Temperature	150В°C(TJ)
Package / Case	TO-225AA, TO-126-3
Power - Max	1.25W
Standard Package	50
Supplier Device Package	SOT-32
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	80V