IRG4PC40S
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
790 руб.
от 10 шт. —
660 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 790 руб.
Описание
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V DC-1 KHZ (STD) DISCRETE IGBT
Технические параметры
| Brand | Infineon/IR |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 600 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.5 V |
| Configuration | Single |
| Continuous Collector Current at 25 C | 60 A |
| Continuous Collector Current Ic Max | 60 A |
| Factory Pack Quantity | 25 |
| Height | 20.3 mm |
| Length | 15.9 mm |
| Manufacturer | Infineon |
| Maximum Gate Emitter Voltage | +/-20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Packaging | Tube |
| Pd - Power Dissipation | 160 W |
| Product Category | IGBT Transistors |
| RoHS | Details |
| Technology | Si |
| Unit Weight | 1.340411 oz |
| Width | 5.3 mm |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
IRG4PC40SPBF
pdf, 631 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
