STW45NM60, , Транзистор полевой N-канальный , 650В, 45A, корпус TO-247-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
120 шт. со склада г.Москва
1 370 руб.
от 5 шт. —
1 190 руб.
от 10 шт. —
1 130 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 370 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
ТРАНЗИСТОРЫ\Транзисторы разные
Стандартные продуктыСтандартные продукты STMicroelectronics представляют собой широкий спектр стандартных отраслевых и готовых замен для самых популярных аналоговых микросхем общего назначения, дискретных и последовательных EEPROM. Стандартные продукты производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, и многие из них сертифицированы AECQ для автомобильного применения. Полный набор вспомогательных средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, позволяет упростить добавление к проекту.
Технические параметры
| Корпус | TO-247-3 | |
| MSL(Уровень чувствительности к влажности) | 1 | |
| Диапазон рабочих температур | -55…+150 °С | |
| Емкость, пФ | 3800 | |
| Заряд затвора, нКл | 134 | |
| Максимальное напряжение сток-исток, В | 650 | |
| Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | 45 | |
| Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 110 | |
| Мощность | рассеиваемая(Pd)-417 Вт | |
| Описание | N-Channel 650 V 45A(Tc)417W(Tc)Through Hole TO-247-3 | |
| Способ монтажа | Through Hole | |
| Тип | MOSFET | |
| Тип проводимости | N | |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 58*46*46/120 | |
| Упаковка | TUBE, 30 шт. | |
| Brand: | STMicroelectronics | |
| Channel Mode: | Enhancement | |
| Configuration: | Single | |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 600 | |
| Fall Time: | 23 ns | |
| Id - Continuous Drain Current: | 45 A | |
| Manufacturer: | STMicroelectronics | |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C | |
| Minimum Operating Temperature: | -65 C | |
| Mounting Style: | Through Hole | |
| Number of Channels: | 1 Channel | |
| Package / Case: | TO-247-3 | |
| Packaging: | Tube | |
| Pd - Power Dissipation: | 417 W | |
| Product Category: | MOSFET | |
| Product Type: | MOSFET | |
| Qg - Gate Charge: | 134 nC | |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 110 mOhms | |
| Rise Time: | 20 ns | |
| Series: | STW45NM60 | |
| Subcategory: | MOSFETs | |
| Technology: | Si | |
| Tradename: | MDmesh | |
| Transistor Polarity: | N-Channel | |
| Transistor Type: | 1 N-Channel | |
| Type: | MOSFET | |
| Typical Turn-On Delay Time: | 30 ns | |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V | |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V | |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V | |
| Вес, г | 6.92 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 303 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
