NP100P06PDG-E1-AY, P-Channel MOSFET, 100 A, 60 V Renesas NP100P06PDG-E1-AY
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
226 шт., срок 7 недель
1 970 руб.
Кратность заказа 2 шт.
от 50 шт. —
1 460 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 3 940 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The Renesas Electronics provides a low voltage power with P-channel type MOS Field Effect Transistor which is designed for high current switching applications.
Технические параметры
| Channel Type | P |
| Maximum Continuous Drain Current | 100 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1357 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
