Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ST Microelectronics › STL140N6F7

STL140N6F7

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

100 шт., срок 7-9 недель

130 руб.

Мин. кол-во для заказа 3 шт.

Добавить в корзину 3 шт. на сумму 390 руб.

Альтернативные предложения3

Номенклатурный номер: 8024079500

Бренд: STMicroelectronics

Описание

The STMicroelectronics STripFET™ F7 series of low-voltage MOSFETs have lower device on-state resistance, with reduced internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.

Технические параметры

Channel Type	N Channel
Drain Source On State Resistance	0.0024Ом
Power Dissipation	125Вт
Количество Выводов	8вывод(-ов)
Линейка Продукции	STripFET F7
Максимальная Рабочая Температура	175°C
Монтаж транзистора	Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	60В
Непрерывный Ток Стока	140А
Полярность Транзистора	N Канал
Пороговое Напряжение Vgs	4В
Рассеиваемая Мощность	125Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.0024Ом
Стиль Корпуса Транзистора	PowerFLAT
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Channel Mode	Enhancement
Forward Diode Voltage	1.2V
Maximum Continuous Drain Current	140 A
Maximum Drain Source Resistance	2 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	60 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Maximum Power Dissipation	125 W
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	PowerFLAT 5x6
Pin Count	8
Series	STripFET F7
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	55 nC @ 10 V
Width	5.2mm
Вес, г	0.146