IRF9540PBF, Транзистор IRF9540PBF
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
120 руб.
Кратность заказа 50 шт.
Добавить в корзину 50 шт.
на сумму 6 000 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Транзисторы / Транзисторы TO-92/TO-126/TO-220/TO-247
TO-220AB
Описание Транзистор P-МОП, полевой, 100В 19A 150Вт 0,2Ом TO220AB ХарактеристикиКатегория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 19A(Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
FET Feature | - |
FET Type | P-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 61nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1400pF @ 25V |
Manufacturer | Vishay Siliconix |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
Package / Case | TO-220-3 |
Packaging | Tube |
Part Status | Active |
Power Dissipation (Max) | 150W(Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200mOhm @ 11A, 10V |
Series | - |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±20V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | P |
Maximum Continuous Drain Current | 19 A |
Maximum Drain Source Resistance | 200 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
Maximum Operating Temperature | +175 °C |
Maximum Power Dissipation | 150 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-220AB |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 61 nC @ 10 V |
Width | 4.7mm |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 154 КБ
Datasheet
pdf, 273 КБ
IRF9540 datasheet
pdf, 172 КБ
Документация
pdf, 275 КБ
Datasheet IRF9540
pdf, 153 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов