2N3700, Small Signal Bipolar Transistor - 1A I(C) - 80V V(BR)CEO - 1-Element - NPN - Silicon - TO-206AA

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1 700 руб.

Кратность заказа 5 шт.

от 25 шт. — 1 440 руб.

от 100 шт. — 1 260 руб.

Добавить в корзину 5 шт. на сумму 8 500 руб.

Номенклатурный номер: 8031515900

Артикул: 2N3700

Discrete Semiconductors\Bipolar Transistors\Gp Bjt

Биполярные транзисторы - BJT NPN Transistor

Pd - рассеивание мощности	1 W
RoHS	N
Вид монтажа	Through Hole
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	15
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	300
Максимальная рабочая температура	+ 200 C
Минимальная рабочая температура	65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	140 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	80 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.5 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	7 V
Непрерывный коллекторный ток	1 A
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Размер фабричной упаковки	1
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Microsemi
Упаковка / блок	TO-18-3