JANTX2N3868, Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-5
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
8 670 руб.
от 5 шт. —
7 450 руб.
от 25 шт. —
6 550 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 8 670 руб.
Описание
Discrete Semiconductors\Bipolar Transistors\Gp Bjt
Биполярные транзисторы - BJT Power BJT
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 1 W |
RoHS | N |
Вид монтажа | Through Hole |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 30 at 1.5 A at 2 VDC |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 150 at 1.5 A at 2 VDC |
Максимальная рабочая температура | + 200 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 3 mA |
Минимальная рабочая температура | 65 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 500 mV |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 4 V |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | PNP |
Размер фабричной упаковки | 1 |
Технология | Si |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | Microsemi |
Упаковка | Bulk |
Упаковка / блок | TO-5-3 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары