APT37M100L, MOSFET (Metal Oxide) Transistor - N-Channel - 1000 V - 37A Continuous Drain (Id) @ 25°C - 330m Ohm @ 18A, 10V - T ...

APT37M100L, MOSFET (Metal Oxide) Transistor - N-Channel - 1000 V - 37A Continuous Drain (Id) @ 25°C - 330m Ohm @ 18A, 10V - T ...
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
6 750 руб.
от 10 шт.5 590 руб.
от 25 шт.5 140 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 6 750 руб.
Номенклатурный номер: 8031543641
Артикул: APT37M100L

Описание

Discrete Semiconductors\Fet Transistors\Mosfet

Технические параметры

Brand: Microchip Technology
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 1
Fall Time: 38 ns
Forward Transconductance - Min: 39 S
Id - Continuous Drain Current: 37 A
Manufacturer: Microchip
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: Through Hole
Number of Channels: 1 Channel
Package/Case: TO-264-3
Packaging: Tube
Pd - Power Dissipation: 1.135 kW
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Qg - Gate Charge: 305 nC
Rds On - Drain-Source Resistance: 290 mOhms
Rise Time: 40 ns
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Tradename: Power MOS 8
Transistor Polarity: N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 150 ns
Typical Turn-On Delay Time: 44 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 1 kV
Vgs - Gate-Source Voltage: -30 V, +30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 4 V

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов