APT200GN60J, Trans IGBT Module N-CH 600V 283A 682000mW

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

11 680 руб.

от 5 шт. — 9 620 руб.

от 10 шт. — 8 930 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 11 680 руб.

Номенклатурный номер: 8031593471

Артикул: APT200GN60J

Discrete Semiconductors\Igbt Transistors\Igbt Module

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Single

Pd - рассеивание мощности	682 W
Вид монтажа	Chassis Mount
Высота	9.6 mm
Диапазон рабочих температур	55 C to + 175 C
Длина	38.2 mm
Категория продукта	Модули биполярных транзисторов с изолированным зат
Коммерческое обозначение	ISOTOP
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	+/- 20 V
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.5 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	283 A
Подкатегория	IGBTs
Продукт	IGBT Silicon Modules
Размер фабричной упаковки	1
Тип продукта	IGBT Modules
Ток утечки затвор-эмиттер	600 nA
Торговая марка	Microsemi
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	SOT-227-4
Ширина	25.4 mm
Automotive	No
ECCN (US)	EAR99
EU RoHS	Compliant
Lead Shape	Screw
Mounting	Screw
Packaging	Tube
Part Status	Active
PCB changed	4
Pin Count	4
PPAP	No
Supplier Package	SOT-227