JANTX2N5667, 2N5667 Series 300 V 5 A NPN Through Hole Silicon Switching Transistor - TO-5

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

10 540 руб.

от 5 шт. — 8 730 руб.

от 10 шт. — 8 110 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 10 540 руб.

Номенклатурный номер: 8031684355

Артикул: JANTX2N5667

Discrete Semiconductors\Bipolar Transistors\Gp Bjt

Биполярные транзисторы - BJT Power BJT

Pd - рассеивание мощности	1.2 W
RoHS	N
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	25 at 1 A, 5 VDC
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	75 at 1 A, 5 VDC
Максимальная рабочая температура	+ 200 C
Максимальный постоянный ток коллектора	5 A
Минимальная рабочая температура	65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	400 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	300 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	400 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6 V
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Размер фабричной упаковки	100
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Microchip / Microsemi
Упаковка	Bulk
Упаковка / блок	TO-5-3