JANTXV2N2907A

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1 600 руб.

Кратность заказа 5 шт.

от 50 шт. — 1 320 руб.

от 100 шт. — 1 190 руб.

Добавить в корзину 5 шт. на сумму 8 000 руб.

Номенклатурный номер: 8031691437

Discrete Semiconductors\Bipolar Transistors\Gp Bjt

Биполярные транзисторы - BJT BJTs

Производитель:	Microchip
Категория продукта:	Биполярные транзисторы - BJT
Вид монтажа:	Through Hole
Упаковка / блок:	TO-18-3
Полярность транзистора:	PNP
Конфигурация:	Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:	60 V
Напряжение коллектор-база (VCBO):	60 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO):	5 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:	400 mV
Максимальный постоянный ток коллектора:	600 mA
Pd - рассеивание мощности:	500 mW
Минимальная рабочая температура:	- 65 C
Максимальная рабочая температура:	+ 200 C
Упаковка:	Bulk
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.:	175 at 1 mA, 10 VDC
Технология:	Si
Торговая марка:	Microchip Technology
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe):	40 at 1 mA, 10 VDC
Тип продукта:	BJTs - Bipolar Transistors
Размер фабричной упаковки:	1
Подкатегория:	Transistors