Small-Signal Bjt Ub Rohs Compliant: Yes |Microchip JANTX2N2907AUB/TR

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1 050 руб.

Кратность заказа 5 шт.

от 50 шт. — 870 руб.

Добавить в корзину 5 шт. на сумму 5 250 руб.

Номенклатурный номер: 8031715428

Артикул: JANTX2N2907A

Discrete Semiconductors\Bipolar Transistors\Gp Bjt

Биполярные транзисторы - BJT Small-Signal BJT

Pd - рассеивание мощности	500 mW (1/2 W)
RoHS	N
Вид монтажа	Through Hole
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 200 C
Максимальный постоянный ток коллектора	600 mA
Минимальная рабочая температура	65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	60 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	60 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	400 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	PNP
Размер фабричной упаковки	1
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Microsemi
Упаковка	Bulk
Упаковка / блок	TO-18-3
Current - Collector (Ic) (Max)	600mA
Current - Collector Cutoff (Max)	50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition	-
Manufacturer	Microsemi Corporation
Mounting Type	Through Hole
Operating Temperature	-65В°C ~ 200В°C(TJ)
Package / Case	TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Packaging	Bulk
Part Status	Active
Power - Max	500mW
Series	Military, MIL-PRF-19500/291
Supplier Device Package	TO-206AA(TO-18)
Transistor Type	PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	1.6V @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	60V