BD237, Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 2 А, 25 Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
136 шт. со склада г.Москва, срок 12 дней
70 руб.
Мин. кол-во для заказа 7 шт.
от 37 шт. —
56 руб.
от 100 шт. —
52 руб.
Добавить в корзину 7 шт.
на сумму 490 руб.
Альтернативные предложения6
Описание
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы
Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 2 А, 25 Вт
Технические параметры
| Корпус | to-126 | |
| Base Product Number | BD237 -> | |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2A | |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100ВµA (ICBO) | |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 25 @ 1A, 2V | |
| ECCN | EAR99 | |
| HTSUS | 8541.29.0095 | |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | |
| Mounting Type | Through Hole | |
| Operating Temperature | 150В°C (TJ) | |
| Other Related Documents | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL | |
| Package | Tube | |
| Package / Case | TO-225AA, TO-126-3 | |
| Power - Max | 25W | |
| REACH Status | REACH Unaffected | |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant | |
| Supplier Device Package | SOT-32-3 | |
| Transistor Type | NPN | |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 100mA, 1A | |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V | |
| Brand | STMicroelectronics | |
| Collector- Base Voltage VCBO | 80 V | |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 80 V | |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 0.6 V | |
| Configuration | Single | |
| Continuous Collector Current | 2 A | |
| DC Collector/Base Gain hfe Min | 40 | |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V | |
| Factory Pack Quantity | 2000 | |
| Gain Bandwidth Product fT | 3 MHz | |
| Height | 10.8 mm(Max) | |
| Length | 7.8 mm(Max) | |
| Manufacturer | STMicroelectronics | |
| Maximum DC Collector Current | 2 A | |
| Maximum Operating Temperature | +150 C | |
| Minimum Operating Temperature | -65 C | |
| Mounting Style | SMD/SMT | |
| Packaging | Tube | |
| Pd - Power Dissipation | 25 W | |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT | |
| RoHS | Details | |
| Series | 500V Transistors | |
| Transistor Polarity | NPN | |
| Width | 2.7 mm(Max) | |
| Maximum Collector Base Voltage | 80 V | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 80 V | |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V | |
| Maximum Operating Frequency | 3 MHz | |
| Maximum Power Dissipation | 25 W | |
| Minimum DC Current Gain | 25 | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Package Type | SOT-32 | |
| Pin Count | 3 | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Вес, г | 0.9 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
