IRFR220NTRPBF, транзистор (IRFR220) N канал 200В 5А DPak
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
69 руб.
Кратность заказа 6 шт.
от 102 шт. —
32 руб.
от 402 шт. —
31 руб.
от 702 шт. —
29.13 руб.
Добавить в корзину 6 шт.
на сумму 414 руб.
Описание
транзисторы полевые импортные
Описание Полевой транзистор IRFR220NTRPBF от известного производителя Infineon представляет собой высококачественный N-MOSFET компонент, предназначенный для использования в современных электронных устройствах. Устройство выполнено в компактном корпусе DPAK, подходящем для поверхностного монтажа (SMD), что делает его идеальным выбором для плотно упакованных печатных плат. Транзистор характеризуется максимальным током стока 24 А и напряжением сток-исток до 200 В, что обеспечивает отличную производительность в широком диапазоне применений. С мощностью 43 Вт этот компонент может управляться в широком диапазоне температур, гарантируя надежность и долговечность в эксплуатации. Используя IRFR220NTRPBF в вашем дизайне, вы получаете гарантию качества от Infineon и уверенность в стабильности работы вашего устройства. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | SMD |
| Ток стока, А | 24 |
| Напряжение сток-исток, В | 200 |
| Мощность, Вт | 43 |
| Корпус | DPAK |
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5 | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 43 | |
| Корпус | DPAK(TO-252AA) | |
| Крутизна характеристики S,А/В | 2.6 | |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 4 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 600 | |
| Температура, С | -55…+175 | |
| Continuous Drain Current (Id) | 5A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 600mΩ@10V, 2.9A | |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 200V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 4V@250uA | |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 300pF@25V | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| Power Dissipation (Pd) | 43W | |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 23nC@10V | |
| Type | N Channel | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current | 5 A | |
| Maximum Drain Source Voltage | 200 V | |
| Mounting Type | SMD | |
| Package Type | DPAK | |
| Вес, г | 0.65 |
Техническая документация
Datasheet IRFU220NPBF
pdf, 230 КБ
IRFR220NPBF Datasheet
pdf, 224 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
