STD10NF10T4, Транзистор полевой N-канальный 100В 13А 50Вт

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

2485 шт. со склада г.Москва, срок 2 недели

290 руб.

Мин. кол-во для заказа 2 шт.

от 22 шт. — 240 руб.

от 43 шт. — 220 руб.

от 85 шт. — 214 руб.

Добавить в корзину 2 шт. на сумму 580 руб.

Альтернативные предложения4

Номенклатурный номер: 8072067003

Артикул: STD10NF10T4

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

Транзистор полевой N-канальный 100В 13А 50Вт

Корпус	dpak
кол-во в упаковке	2500
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	13 A
Maximum Drain Source Resistance	130 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	100 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage	4V
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Maximum Power Dissipation	50 W
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	DPAK(TO-252)
Pin Count	3
Series	STripFET
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	15.3 nC @ 10 V
Width	6.2mm
Brand	STMicroelectronics
Configuration	Single
Factory Pack Quantity	2500
Fall Time	8 ns
Forward Transconductance - Min	20 S
Height	2.4 mm
Id - Continuous Drain Current	13 A
Length	6.6 mm
Manufacturer	STMicroelectronics
Mounting Style	SMD/SMT
Number of Channels	1 Channel
Package / Case	TO-252-3
Packaging	Cut Tape
Pd - Power Dissipation	50 W
Product Category	MOSFET
Rds On - Drain-Source Resistance	115 mOhms
Rise Time	25 ns
RoHS	Details
Technology	Si
Transistor Polarity	N-Channel
Transistor Type	1 N-Channel
Type	MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time	32 ns
Typical Turn-On Delay Time	16 ns
Unit Weight	0.139332 oz
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	100 V
Vgs - Gate-Source Voltage	20 V
Вес, г	0.8