SFH309-5, (Q62702-P999), NPN кремниевый фототранзистор 3мм/380-1150нм/ Ipce=1.6-3.2mA/ + 20/12°
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
917 шт. со склада г.Москва, срок 10 дней
31 руб.
Мин. кол-во для заказа 15 шт.
от 80 шт. —
25 руб.
от 159 шт. —
23 руб.
от 318 шт. —
21 руб.
Добавить в корзину 15 шт.
на сумму 465 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Оптоэлектроника / ИК/УФ-приборы и фотоприёмники / Фототранзисторы
NPN кремниевый фототранзистор 3мм/380-1150нм/ Ipce=1.6-3.2mA/ + 20/12°
Технические параметры
Корпус | T1(3mm) |
Brand | OSRAM Opto Semiconductors |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 35 V |
Collector-Emitter Breakdown Voltage | 35 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage | 200 mV |
Dark Current | 15 mA |
Factory Pack Quantity | 2000 |
Fall Time | 8 us |
Half Intensity Angle Degrees | 12 deg |
Height | 5.2 mm |
Length | 4 mm |
Lens Color/Style | Clear |
Light Current | 5 mA |
Manufacturer | Osram Opto Semiconductor |
Maximum On-State Collector Current | 15 mA |
Maximum Operating Temperature | +100 C |
Minimum Operating Temperature | -40 C |
Mounting Style | Through Hole |
Operating Supply Voltage | - |
Output Current | - |
Package / Case | T-1 |
Packaging | Bulk |
Part # Aliases | Q62702P0999 |
Pd - Power Dissipation | 165 mW |
Peak Wavelength | 860 nm |
Product | Phototransistors |
Product Category | Phototransistors |
Propagation Delay - Max | - |
Rise Time | 8 us |
RoHS | Details |
Type | Silicon NPN Phototransistor |
Wavelength | 860 nm |
Width | 4 mm |
Вес, г | 0.3 |
Техническая документация
Документация
pdf, 246 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.