BD138, Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 1.5 А, 10 Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1019 шт. со склада г.Москва, срок 12 дней
54 руб.
Мин. кол-во для заказа 9 шт.
от 50 шт. —
43 руб.
от 100 шт. —
40 руб.
от 200 шт. —
37 руб.
Добавить в корзину 9 шт.
на сумму 486 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы
Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 1.5 А, 10 Вт
Технические параметры
Корпус | to-126 | |
Pd - рассеивание мощности | 1.25 W | |
Вид монтажа | SMD/SMT | |
Высота | 10.8 mm | |
Длина | 7.8 mm | |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT | |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 25 | |
Конфигурация | Single | |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 250 | |
Максимальная рабочая температура | + 150 C | |
Максимальный постоянный ток коллектора | 1.5 A | |
Минимальная рабочая температура | 65 C | |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V | |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V | |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V | |
Непрерывный коллекторный ток | 1.5 A | |
Подкатегория | Transistors | |
Полярность транзистора | PNP | |
Размер фабричной упаковки | 2000 | |
Серия | BD138 | |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors | |
Торговая марка | STMicroelectronics | |
Упаковка | Tube | |
Упаковка / блок | SOT-32-3 | |
Ширина | 2.7 mm | |
Base Product Number | BD138 -> | |
ECCN | EAR99 | |
HTSUS | 8541.29.0095 | |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | |
Package | Tube | |
REACH Status | REACH Unaffected | |
RoHS Status | ROHS3 Compliant | |
Series | * | |
кол-во в упаковке | 50 | |
Category | Bipolar Power | |
Collector Current (DC) | 1.5(A) | |
Collector Current (DC) (Max) | 1.5 A | |
Collector-Base Voltage | 60(V) | |
Collector-Emitter Voltage | 60(V) | |
Configuration | Single | |
DC Current Gain | 25 | |
DC Current Gain (Min) | 25 | |
Emitter-Base Voltage | 5(V) | |
Mounting | Through Hole | |
Number of Elements | 1 | |
Operating Temp Range | -65C to 150C | |
Operating Temperature Classification | Military | |
Output Power | Not Required(W) | |
Package Type | SOT-32 | |
Packaging | Rail/Tube | |
Pin Count | 3+Tab | |
Power Dissipation | 1.25(W) | |
Rad Hardened | No | |
Transistor Polarity | PNP | |
Maximum Collector Base Voltage | 60 V | |
Maximum Collector Emitter Voltage | -60 V | |
Maximum DC Collector Current | -1.5 A | |
Maximum Emitter Base Voltage | 5 V | |
Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
Maximum Power Dissipation | 1.25 W | |
Mounting Type | Through Hole | |
Number of Elements per Chip | 1 | |
Transistor Configuration | Single | |
Transistor Type | PNP | |
Вес, г | 0.9 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.