BUL216, Биполярный транзистор, NPN, 800 В, 4 А, 90 Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
29 шт. со склада г.Москва, срок 12 дней
310 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 4 шт. —
260 руб.
от 7 шт. —
239 руб.
от 14 шт. —
230 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 620 руб.
Альтернативные предложения5
Описание
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы
Биполярный транзистор, NPN, 800 В, 4 А, 90 Вт
Технические параметры
Корпус | to-220 | |
Brand | STMicroelectronics | |
Collector- Base Voltage VCBO | 1600 V | |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 800 V | |
Collector-Emitter Saturation Voltage | 1 V | |
Configuration | Single | |
Continuous Collector Current | 4 A | |
Emitter- Base Voltage VEBO | 9 V | |
Factory Pack Quantity | 1000 | |
Height | 9.15 mm(Max) | |
Length | 10.4 mm(Max) | |
Manufacturer | STMicroelectronics | |
Maximum DC Collector Current | 4 A | |
Maximum Operating Temperature | +150 C | |
Minimum Operating Temperature | -65 C | |
Mounting Style | Through Hole | |
Package / Case | TO-220-3 | |
Packaging | Tube | |
Pd - Power Dissipation | 90 W | |
Product Category | Bipolar Transistors-BJT | |
RoHS | Details | |
Series | 1000V Transistors | |
Transistor Polarity | NPN | |
Width | 4.6 mm(Max) | |
Maximum Collector Base Voltage | 1600 V | |
Maximum Collector Emitter Voltage | 800 V | |
Maximum Emitter Base Voltage | 9 V | |
Maximum Power Dissipation | 9 W | |
Minimum DC Current Gain | 12 | |
Mounting Type | Through Hole | |
Number of Elements per Chip | 1 | |
Package Type | TO-220 | |
Pin Count | 3 | |
Transistor Configuration | Single | |
Transistor Type | NPN | |
Brand: | STMicroelectronics | |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 800 V | |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1 V | |
Configuration: | Single | |
Continuous Collector Current: | 4 A | |
Emitter- Base Voltage VEBO: | 9 V | |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 | |
Manufacturer: | STMicroelectronics | |
Maximum DC Collector Current: | 4 A | |
Maximum Operating Temperature: | +150 C | |
Mounting Style: | Through Hole | |
Package / Case: | TO-220-3 | |
Packaging: | Tube | |
Pd - Power Dissipation: | 90 W | |
Product Category: | Bipolar Transistors-BJT | |
Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors | |
Series: | BUL216 | |
Subcategory: | Transistors | |
Technology: | Si | |
Transistor Polarity: | NPN | |
Вес, г | 2.7 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.