IGW40N60H3FKSA1, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 306 Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
930 руб.
от 4 шт. —
840 руб.
от 7 шт. —
783 руб.
от 13 шт. —
739 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 930 руб.
Описание
Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторы
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 306 Вт
Технические параметры
Корпус | TO-247 | |
Pd - рассеивание мощности | 306 W | |
Вид монтажа | Through Hole | |
Другие названия товара № | IGW40N60H3FKSA1 IGW4N6H3XK SP000769926 | |
Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I | |
Коммерческое обозначение | TRENCHSTOP | |
Конфигурация | Single | |
Максимальная рабочая температура | + 175 C | |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V | |
Минимальная рабочая температура | 40 C | |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V | |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.95 V | |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 80 A | |
Подкатегория | IGBTs | |
Размер фабричной упаковки | 240 | |
Серия | HighSpeed 3 | |
Технология | Si | |
Тип продукта | IGBT Transistors | |
Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA | |
Торговая марка | Infineon Technologies | |
Упаковка | Tube | |
Упаковка / блок | TO-247-3 | |
Brand | Infineon Technologies | |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 600 V | |
Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.95 V | |
Continuous Collector Current at 25 C | 80 A | |
Continuous Collector Current Ic Max | 80 A | |
Factory Pack Quantity | 240 | |
Gate-Emitter Leakage Current | 100 nA | |
Manufacturer | Infineon | |
Maximum Gate Emitter Voltage | 20 V | |
Maximum Operating Temperature | +150 C | |
Minimum Operating Temperature | -40 C | |
Mounting Style | Through Hole | |
Package / Case | TO-247 | |
Packaging | Tube | |
Part # Aliases | IGW40N60H3FKSA1 IGW40N60H3XK SP000769926 | |
Pd - Power Dissipation | 306 W | |
Product Category | IGBT Transistors | |
RoHS | Details | |
Series | IGW40N60 | |
Technology | Si | |
Unit Weight | 0.229281 oz | |
Вес, г | 8.03 |
Техническая документация
Datasheet IGW40N60H3
pdf, 1937 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов