BU508AF, Биполярный транзистор, NPN, 700 В, 8 А, 34 Вт

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

3 шт. со склада г.Москва, срок 12 дней

280 руб.

Мин. кол-во для заказа 2 шт.

Добавить в корзину 2 шт. на сумму 560 руб.

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8234119418

Артикул: BU508AF

Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы

Описание Транзистор биполярный, стандартный

Корпус	ISO218
Brand	STMicroelectronics
Collector- Base Voltage VCBO	9 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	700 V
Configuration	Single
Continuous Collector Current	8 A
Emitter- Base Voltage VEBO	9 V
Factory Pack Quantity	300
Height	14.7 mm
Length	26.7 mm
Manufacturer	STMicroelectronics
Maximum DC Collector Current	8 A
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-65 C
Mounting Style	Through Hole
Package / Case	ISOWATT-218FX-3
Packaging	Tube
Pd - Power Dissipation	50000 mW
Product Category	Bipolar Transistors-BJT
RoHS	Details
Series	1000V Transistors
Transistor Polarity	NPN
Width	15.7 mm
Brand:	STMicroelectronics
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	700 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:	1 V
Configuration:	Single
Continuous Collector Current:	8 A
Emitter- Base Voltage VEBO:	9 V
Factory Pack Quantity:	300
Manufacturer:	STMicroelectronics
Maximum DC Collector Current:	8 A
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Mounting Style:	Through Hole
Package / Case:	ISOWATT-218FX-3
Packaging:	Tube
Pd - Power Dissipation:	50 W
Product Category:	Bipolar Transistors-BJT
Product Type:	BJTs-Bipolar Transistors
Subcategory:	Transistors
Technology:	Si
Transistor Polarity:	NPN
Вес, г	5.811