Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › Nexperia › BC856,215, Биполярный транзистор, PNP, 65 В ...

BC856,215, Биполярный транзистор, PNP, 65 В, 0.1 А, 0.25 Вт

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

4688 шт. со склада г.Москва, срок 10-13 дней

5 руб.

Мин. кол-во для заказа 102 шт.

от 489 шт. — 4 руб.

от 977 шт. — 2.70 руб.

от 1953 шт. — 2.20 руб.

Добавить в корзину 102 шт. на сумму 510 руб.

Альтернативные предложения3

Номенклатурный номер: 8263916412

Артикул: BC856,215

Бренд: Nexperia B.V.

Описание

Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы

Биполярный транзистор, PNP, 65 В, 0.1 А, 0.25 Вт

Технические параметры

Корпус	sot-23
Pd - рассеивание мощности	250 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	1 mm
Длина	3 mm
Другие названия товара №	BC856 T/R
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	125
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	125 at 2 mA at 5 V
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	0.2 A
Минимальная рабочая температура	65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	80 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	65 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	100 MHz
Размер фабричной упаковки	3000
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Nexperia
Упаковка / блок	SOT-23-3
Ширина	1.4 mm
Base Product Number	BC856 ->
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Current - Collector Cutoff (Max)	15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	125 @ 2mA, 5V
ECCN	EAR99
Frequency - Transition	100MHz
HTSUS	8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Surface Mount
Operating Temperature	150В°C (TJ)
Package	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power - Max	250mW
REACH Status	REACH Unaffected
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Series	Automotive, AEC-Q101 ->
Supplier Device Package	TO-236AB
Transistor Type	PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	650mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	65V
кол-во в упаковке	3000
Maximum Collector Base Voltage	80 V
Maximum Collector Emitter Voltage	65 V
Maximum DC Collector Current	100 mA
Maximum Emitter Base Voltage	5 V
Maximum Operating Frequency	100 MHz
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	250 mW
Minimum DC Current Gain	125
Number of Elements per Chip	1
Package Type	SOT-23(TO-236AB)
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Вес, г	0.05