Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › Nexperia › BCP53,115, Биполярный транзистор, PNP, 80 В ...

BCP53,115, Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 1 А, 1.35 Вт

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1851 шт. со склада г.Москва, срок 10-13 дней

15 руб.

Мин. кол-во для заказа 31 шт.

от 310 шт. — 12 руб.

от 619 шт. — 11 руб.

от 1000 шт. — 9.10 руб.

Добавить в корзину 31 шт. на сумму 465 руб.

Альтернативные предложения4

Номенклатурный номер: 8330206940

Артикул: BCP53,115

Бренд: Nexperia B.V.

Описание

Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы

Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 1 А, 1.35 Вт

Технические параметры

Корпус	SOT-223
Pd - рассеивание мощности	1000 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	1.7 mm
Длина	6.7 mm
Другие названия товара №	933917330115
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Квалификация	AEC-Q101
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	63 at 5 mA, 2 V, 63 at 150 mA, 2 V, 40 at 500 m
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	63 at 5 mA, 2 V
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	1 A
Минимальная рабочая температура	65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	100 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	80 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	145 MHz
Размер фабричной упаковки	1000
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Nexperia
Упаковка / блок	SOT-223-3
Ширина	3.7 mm
Collector-Emitter Breakdown Voltage	80V
Maximum DC Collector Current	1A
Pd - Power Dissipation	1W
Transistor Type	PNP
Вес, г	0.2