STB8N65M5, Транзистор полевой N-канальный 650В 7A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
17 шт. со склада г.Москва, срок 2 недели
43 руб.
Мин. кол-во для заказа 11 шт.
Добавить в корзину 11 шт.
на сумму 473 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 650В 7A
Технические параметры
Корпус | D2Pak(TO-263) | |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 7A(Tc) | |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V | |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
FET Feature | - | |
FET Type | N-Channel | |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V | |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 690pF @ 100V | |
Manufacturer | STMicroelectronics | |
Mounting Type | Surface Mount | |
Operating Temperature | 150В°C(TJ) | |
Package / Case | TO-263-3, DВІPak(2 Leads+Tab), TO-263AB | |
Packaging | Cut Tape(CT) | |
Part Status | Active | |
Power Dissipation (Max) | 70W(Tc) | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 3.5A, 10V | |
Series | MDmeshв(ў V | |
Supplier Device Package | D2PAK | |
Technology | MOSFET(Metal Oxide) | |
Vgs (Max) | В±25V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250ВµA | |
Brand: | STMicroelectronics | |
Channel Mode: | Enhancement | |
Configuration: | Single | |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 | |
Id - Continuous Drain Current: | 7 A | |
Manufacturer: | STMicroelectronics | |
Maximum Operating Temperature: | +150 C | |
Minimum Operating Temperature: | -55 C | |
Mounting Style: | SMD/SMT | |
Number of Channels: | 1 Channel | |
Package / Case: | TO-263-3 | |
Pd - Power Dissipation: | 70 W | |
Product Category: | MOSFET | |
Product Type: | MOSFET | |
Qg - Gate Charge: | 15 nC | |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 560 mOhms | |
Series: | Mdmesh M5 | |
Subcategory: | MOSFETs | |
Technology: | Si | |
Tradename: | MDmesh | |
Transistor Polarity: | N-Channel | |
Transistor Type: | 1 N-Channel | |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V | |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V | |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V | |
Вес, г | 1.2 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1435 КБ
Документация
pdf, 694 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.