STGP14NC60KD, Биполярный транзистор IGBT, 50 КГц, 14 А, 600 В, 80 Вт

Фото 1/2 STGP14NC60KD, Биполярный транзистор IGBT, 50 КГц, 14 А, 600 В, 80 Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
65 шт. со склада г.Москва, срок 10 дней
410 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 7 шт.350 руб.
от 14 шт.324 руб.
от 28 шт.311 руб.
Добавить в корзину 2 шт. на сумму 820 руб.
Альтернативные предложения3
Номенклатурный номер: 8387976799
Артикул: STGP14NC60KD
Бренд: STMicroelectronics

Описание

Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторы
Биполярный транзистор IGBT, 50 КГц, 14 А, 600 В, 80 Вт

Технические параметры

Корпус TO-220AB
Brand STMicroelectronics
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2 V
Configuration Single
Continuous Collector Current 14 A
Continuous Collector Current at 25 C 11 A
Continuous Collector Current Ic Max 7 A
Factory Pack Quantity 50
Gate-Emitter Leakage Current 150 uA
Height 9.15 mm
Length 10.4 mm
Manufacturer STMicroelectronics
Maximum Gate Emitter Voltage +/-20 V
Maximum Operating Temperature +150 C
Minimum Operating Temperature -55 C
Mounting Style Through Hole
Package / Case TO-220-3
Packaging Tube
Pd - Power Dissipation 28 W
Product Category IGBT Transistors
RoHS Details
Series 600-650V IGBTs
Unit Weight 0.211644 oz
Width 4.6 mm
Вес, г 2.5

Техническая документация

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.