STGP14NC60KD, Биполярный транзистор IGBT, 50 КГц, 14 А, 600 В, 80 Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
65 шт. со склада г.Москва, срок 10 дней
410 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 7 шт. —
350 руб.
от 14 шт. —
324 руб.
от 28 шт. —
311 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 820 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторы
Биполярный транзистор IGBT, 50 КГц, 14 А, 600 В, 80 Вт
Технические параметры
Корпус | TO-220AB | |
Brand | STMicroelectronics | |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 600 V | |
Collector-Emitter Saturation Voltage | 2 V | |
Configuration | Single | |
Continuous Collector Current | 14 A | |
Continuous Collector Current at 25 C | 11 A | |
Continuous Collector Current Ic Max | 7 A | |
Factory Pack Quantity | 50 | |
Gate-Emitter Leakage Current | 150 uA | |
Height | 9.15 mm | |
Length | 10.4 mm | |
Manufacturer | STMicroelectronics | |
Maximum Gate Emitter Voltage | +/-20 V | |
Maximum Operating Temperature | +150 C | |
Minimum Operating Temperature | -55 C | |
Mounting Style | Through Hole | |
Package / Case | TO-220-3 | |
Packaging | Tube | |
Pd - Power Dissipation | 28 W | |
Product Category | IGBT Transistors | |
RoHS | Details | |
Series | 600-650V IGBTs | |
Unit Weight | 0.211644 oz | |
Width | 4.6 mm | |
Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet STGB14NC60KDT4, STGF14NC60KD, STGP14NC60KD
pdf, 1461 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.