STB11NK40ZT4, Транзистор полевой N-канальный 400В 9А 110Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
874 шт. со склада г.Москва, срок 12 дней
280 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 23 шт. —
230 руб.
от 45 шт. —
210 руб.
от 89 шт. —
204 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 560 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 400В 9А 110Вт
Технические параметры
Корпус | D2Pak(TO-263) | |
Id - непрерывный ток утечки: | 9 A | |
Pd - рассеивание мощности: | 110 W | |
Qg - заряд затвора: | 32 nC | |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток: | 550 mOhms | |
Vds - напряжение пробоя сток-исток: | 400 V | |
Vgs - напряжение затвор-исток: | - 30 V, + 30 V | |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : | 3 V | |
Вид монтажа: | SMD/SMT | |
Время нарастания: | 20 ns | |
Время спада: | 18 ns | |
Высота: | 4.6 mm | |
Длина: | 10.4 mm | |
Канальный режим: | Enhancement | |
Категория продукта: | МОП-транзистор | |
Количество каналов: | 1 Channel | |
Конфигурация: | Single | |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: | 5.8 S | |
Максимальная рабочая температура: | + 150 C | |
Минимальная рабочая температура: | - 55 C | |
Подкатегория: | MOSFETs | |
Полярность транзистора: | N-Channel | |
Производитель: | STMicroelectronics | |
Размер фабричной упаковки: | 1000 | |
Серия: | STB11NK40ZT4 | |
Технология: | Si | |
Тип продукта: | MOSFET | |
Тип транзистора: | 1 N-Channel | |
Тип: | MOSFET | |
Типичное время задержки выключения: | 40 ns | |
Типичное время задержки при включении: | 20 ns | |
Торговая марка: | STMicroelectronics | |
Упаковка / блок: | TO-263-3 | |
Ширина: | 9.35 mm | |
Brand | STMicroelectronics | |
Channel Mode | Enhancement | |
Configuration | Single | |
Factory Pack Quantity | 1000 | |
Fall Time | 18 ns | |
Forward Transconductance - Min | 5.8 S | |
Height | 4.6 mm | |
Id - Continuous Drain Current | 9 A | |
Length | 10.4 mm | |
Manufacturer | STMicroelectronics | |
Maximum Operating Temperature | +150 C | |
Minimum Operating Temperature | -55 C | |
Mounting Style | SMD/SMT | |
Number of Channels | 1 Channel | |
Package / Case | TO-263-3 | |
Packaging | Cut Tape | |
Pd - Power Dissipation | 110 W | |
Product Category | MOSFET | |
Rds On - Drain-Source Resistance | 550 mOhms | |
Rise Time | 20 ns | |
RoHS | Details | |
Series | STB11NK40Z | |
Technology | Si | |
Transistor Polarity | N-Channel | |
Transistor Type | 1 N-Channel | |
Type | MOSFET | |
Typical Turn-Off Delay Time | 40 ns | |
Typical Turn-On Delay Time | 20 ns | |
Unit Weight | 0.139332 oz | |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 400 V | |
Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V | |
Width | 9.35 mm | |
Вес, г | 1.2 |
Техническая документация
Datasheet STB11NK40ZT4
pdf, 728 КБ
Datasheet STB11NK40ZT4, STP11NK40Z, STP11NK40ZFP
pdf, 746 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.