IR2011PBF, Драйвер верхнего и нижнего плеча для импульсного источника электропитания (200В 1.0/1.0A)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
560 руб.
от 6 шт. —
470 руб.
от 11 шт. —
433 руб.
от 22 шт. —
407 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 560 руб.
Описание
Микросхемы / Драйверы и ключи / Драйверы MOSFET, IGBT
Драйвер верхнего и нижнего плеча для импульсного источника электропитания (200В 1.0/1.0A)
Технические параметры
Корпус | DIP-8 | |
IC Case / Package | DIP | |
Задержка Выхода | 75нс | |
Задержка по Входу | 80нс | |
Количество Выводов | 8вывод(-ов) | |
Количество Каналов | 2канал(-ов) | |
Конфигурация Привода | Высокая Сторона и Низкая Сторона | |
Линейка Продукции | - | |
Максимальная Рабочая Температура | 125°C | |
Максимальное Напряжение Питания | 20В | |
Минимальная Рабочая Температура | -40°C | |
Минимальное Напряжение Питания | 10В | |
Стиль Корпуса Привода | DIP | |
Тип переключателя питания | IGBT, MOSFET | |
Ток истока | 1А | |
Ток стока | 1А | |
Category | Integrated Circuits(ICs) | |
Configuration | High and Low Side, Independent | |
Current - Peak | 1A | |
Delay Time | 80ns | |
Family | PMIC-MOSFET, Bridge Drivers-External Switch | |
High Side Voltage - Max (Bootstrap) | 200V | |
Input Type | Non-Inverting | |
Mounting Type | Through Hole | |
Number of Configurations | 1 | |
Number of Outputs | 2 | |
Online Catalog | High and Low Side | |
Operating Temperature | -40°C ~ 125°C | |
Package / Case | 8-DIP(0.300", 7.62mm) | |
Packaging | Tube | |
PCN Assembly/Origin | Assembly Site Addition 17/Dec/2014 | |
Product Training Modules | High Voltage Integrated Circuits(HVIC Gate Drivers) | |
Standard Package | 50 | |
Supplier Device Package | 8-DIP | |
Voltage - Supply | 10 V ~ 20 V | |
Вес, г | 1.3 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1303 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем