BC859B,215, Биполярный транзистор, PNP, 30 В, 0.1 А
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
318 шт. со склада г.Москва, срок 10-13 дней
3 руб.
Мин. кол-во для заказа 180 шт.
Добавить в корзину 180 шт.
на сумму 540 руб.
Альтернативные предложения5
Описание
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы
Биполярный транзистор, PNP, 30 В, 0.1 А
Технические параметры
Корпус | sot-23 | |
Maximum Collector Base Voltage | 30 V | |
Maximum Collector Emitter Voltage | 30 V | |
Maximum DC Collector Current | 100 mA | |
Maximum Emitter Base Voltage | 5 V | |
Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
Maximum Power Dissipation | 250 mW | |
Minimum DC Current Gain | 220 | |
Mounting Type | Surface Mount | |
Number of Elements per Chip | 1 | |
Package Type | SOT-23(TO-236AB) | |
Pin Count | 3 | |
Transistor Configuration | Single | |
Transistor Type | PNP | |
Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet BC859_BC860
pdf, 131 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары