BCV49,115, Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 60 В, 0.5 А, 1.3 Вт

Фото 1/4 BCV49,115, Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 60 В, 0.5 А, 1.3 Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
10323 шт. со склада г.Москва, срок 10 дней
39 руб.
33 руб.
Мин. кол-во для заказа 15 шт.
от 324 шт.26 руб.
от 647 шт.24 руб.
от 2000 шт.22 руб.
Добавить в корзину 15 шт. на сумму 495 руб.
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8485706776
Артикул: BCV49,115
Бренд: Nexperia B.V.

Описание

Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы
Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 60 В, 0.5 А, 1.3 Вт

Технические параметры

Корпус SOT-89-3
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1 В
Максимальная рабочая температура +150 °C
Количество элементов на ИС 1
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер 1,5 В
Длина 4.6мм
Transistor Configuration Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база 80 V
Максимальный запирающий ток коллектора 0.0001mA
Производитель Nexperia
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) 60 В
Максимальный непрерывный ток коллектора 500 мА
Тип корпуса UPAK
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура -65 °C
Ширина 2.6мм
Тип транзистора NPN
Высота 1.6мм
Число контактов 4
Размеры 4.6 x 2.6 x 1.6мм
Максимальное напряжение эмиттер-база 10 V
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току 2000
кол-во в упаковке 1000
Maximum Base Emitter Saturation Voltage 1.5 V
Maximum Collector Base Voltage 80 V
Maximum Collector Cut-off Current 0.0001mA
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage 1 V
Maximum Collector Emitter Voltage 60 V
Maximum Continuous Collector Current 500 mA
Maximum Emitter Base Voltage 10 V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Minimum DC Current Gain 2000
Minimum Operating Temperature -65 °C
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Package Type UPAK
Pin Count 4
Transistor Type NPN
Width 2.6mm
Диапазон рабочих температур, оС -65…150
Статический коэффициент передачи тока hfe мин 2000
Вес, г 0.2

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet BCV49,115
pdf, 48 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.