BC859C,215, Биполярный транзистор, PNP, 30 В, 0.1 А
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
918 шт. со склада г.Москва, срок 10 дней
11 руб.
10 руб.
Мин. кол-во для заказа 47 шт.
от 233 шт. —
8 руб.
от 465 шт. —
6.40 руб.
Добавить в корзину 47 шт.
на сумму 470 руб.
Альтернативные предложения5
Описание
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы
Биполярный транзистор, PNP, 30 В, 0.1 А
Технические параметры
Корпус | sot-23 | |
Pd - рассеивание мощности | 250 mW | |
Вид монтажа | SMD/SMT | |
Высота | 1 mm | |
Длина | 3 mm | |
Другие названия товара № | 933628690215 | |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT | |
Квалификация | AEC-Q101 | |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 420 at 2 mA, 5 V | |
Конфигурация | Single | |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 420 at 2 mA, 5 V | |
Максимальная рабочая температура | + 150 C | |
Максимальный постоянный ток коллектора | 0.1 A | |
Минимальная рабочая температура | 65 C | |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 30 V | |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 30 V | |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V | |
Подкатегория | Transistors | |
Полярность транзистора | PNP | |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz | |
Размер фабричной упаковки | 3000 | |
Технология | Si | |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors | |
Торговая марка | Nexperia | |
Упаковка / блок | SOT-23-3 | |
Ширина | 1.4 mm | |
Base Product Number | BC859 -> | |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA | |
Current - Collector Cutoff (Max) | 15nA (ICBO) | |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 420 @ 2mA, 5V | |
ECCN | EAR99 | |
Frequency - Transition | 100MHz | |
HTSUS | 8541.21.0075 | |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | |
Mounting Type | Surface Mount | |
Operating Temperature | 150В°C (TJ) | |
Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® | |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
Power - Max | 250mW | |
REACH Status | REACH Unaffected | |
RoHS Status | ROHS3 Compliant | |
Series | Automotive, AEC-Q101 -> | |
Supplier Device Package | TO-236AB | |
Transistor Type | PNP | |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 650mV @ 5mA, 100mA | |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30V | |
Brand | Nexperia | |
Collector- Base Voltage VCBO | 30 V | |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 30 V | |
Configuration | Single | |
DC Collector/Base Gain hfe Min | 420 at 2 mA at 5 V | |
DC Current Gain hFE Max | 420 at 2 mA at 5 V | |
Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V | |
Factory Pack Quantity | 10000 | |
Gain Bandwidth Product fT | 100 MHz | |
Height | 1 mm | |
Length | 3 mm | |
Manufacturer | Nexperia | |
Maximum DC Collector Current | 0.1 A | |
Maximum Operating Temperature | +150 C | |
Minimum Operating Temperature | -65 C | |
Mounting Style | SMD/SMT | |
Packaging | Reel | |
Part # Aliases | /T3 BC859C | |
Pd - Power Dissipation | 250 mW | |
Product Category | Bipolar Transistors-BJT | |
RoHS | Details | |
Transistor Polarity | PNP | |
Width | 1.4 mm | |
Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары