2N7002BKS,115, Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 0.3 А
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2406 шт. со склада г.Москва, срок 2-3 недели
19 руб.
Мин. кол-во для заказа 26 шт.
от 131 шт. —
15 руб.
от 261 шт. —
13 руб.
от 521 шт. —
12 руб.
Добавить в корзину 26 шт.
на сумму 494 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Сборки MOSFET транзисторов
Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 0.3 А
Технические параметры
Корпус | TSSOP6 | |
Id - непрерывный ток утечки | 350 mA | |
Pd - рассеивание мощности | 440 mW | |
Qg - заряд затвора | 0.6 nC | |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.6 Ohms | |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V | |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V | |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.1 V | |
Вид монтажа | SMD/SMT | |
Время нарастания | 6 ns | |
Время спада | 7 ns | |
Высота | 1.1 mm | |
Длина | 2.2 mm | |
Другие названия товара № | 934064284115 | |
Канальный режим | Enhancement | |
Категория продукта | МОП-транзистор | |
Квалификация | AEC-Q101 | |
Количество каналов | 1 Channel | |
Конфигурация | Single | |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 550 mS | |
Максимальная рабочая температура | + 150 C | |
Минимальная рабочая температура | 55 C | |
Подкатегория | MOSFETs | |
Полярность транзистора | N-Channel | |
Продукт | MOSFET Small Signal | |
Размер фабричной упаковки | 3000 | |
Технология | Si | |
Тип продукта | MOSFET | |
Тип транзистора | 2 N-Channel | |
Типичное время задержки выключения | 12 ns | |
Типичное время задержки при включении | 5 ns | |
Торговая марка | Nexperia | |
Упаковка / блок | SOT-23-3 | |
Ширина | 1.35 mm | |
Brand | Nexperia | |
Channel Mode | Enhancement | |
Configuration | Dual | |
Factory Pack Quantity | 3000 | |
Fall Time | 7 ns | |
Forward Transconductance - Min | 550 mS | |
Id - Continuous Drain Current | 300 mA | |
Manufacturer | Nexperia | |
Maximum Operating Temperature | +150 C | |
Minimum Operating Temperature | -55 C | |
Mounting Style | SMD/SMT | |
Number Of Channels | 2 Channel | |
Package / Case | TSSOP-6 | |
Packaging | Cut Tape or Reel | |
Pd - Power Dissipation | 0.34 W | |
Product | MOSFET Small Signal | |
Product Category | MOSFET | |
Product Type | MOSFET | |
Qg - Gate Charge | 0.5 nC | |
Qualification | AEC-Q101 | |
Rds On - Drain-Source Resistance | 1.6 Ohms | |
Rise Time | 6 ns | |
Subcategory | MOSFETs | |
Technology | Si | |
Transistor Polarity | N-Channel | |
Transistor Type | 2 N-Channel | |
Typical Turn-Off Delay Time | 12 ns | |
Typical Turn-On Delay Time | 5 ns | |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V | |
Vgs - Gate-Source Voltage | 10 V | |
Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.1 V | |
кол-во в упаковке | 3000 | |
Channel Type | N | |
Maximum Continuous Drain Current | 300 mA | |
Maximum Drain Source Resistance | 2 Ω | |
Maximum Drain Source Voltage | 60 V | |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V | |
Maximum Gate Threshold Voltage | 2.1V | |
Maximum Power Dissipation | 445 mW | |
Minimum Gate Threshold Voltage | 1.1V | |
Mounting Type | Surface Mount | |
Number of Elements per Chip | 2 | |
Package Type | SOT-363 | |
Pin Count | 6 | |
Transistor Configuration | Isolated | |
Transistor Material | Si | |
Typical Gate Charge @ Vgs | 0.5 nC @ 4.5 V | |
Width | 1.35mm | |
Вес, г | 0.09 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.