STB30NF10T4, Транзистор полевой N-канальный 100В 35А 115Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
48 шт. со склада г.Москва, срок 2 недели
62 руб.
Мин. кол-во для заказа 8 шт.
от 16 шт. —
56 руб.
от 31 шт. —
51 руб.
Добавить в корзину 8 шт.
на сумму 496 руб.
Альтернативные предложения4
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 100В 35А 115Вт
Технические параметры
| Корпус | D2Pak(TO-263) | |
| Channel Type | N Channel | |
| Drain Source On State Resistance | 0.038Ом | |
| Power Dissipation | 115Вт | |
| Квалификация | - | |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) | |
| Линейка Продукции | - | |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C | |
| Монтаж транзистора | Surface Mount | |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В | |
| Напряжение Истока-стока Vds | 100В | |
| Непрерывный Ток Стока | 15А | |
| Полярность Транзистора | N Канал | |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В | |
| Рассеиваемая Мощность | 115Вт | |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.038Ом | |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) | |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный | |
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id | |
| Brand: | STMicroelectronics | |
| Channel Mode: | Enhancement | |
| Configuration: | Single | |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 | |
| Fall Time: | 10 ns | |
| Forward Transconductance - Min: | 10 S | |
| Id - Continuous Drain Current: | 35 A | |
| Manufacturer: | STMicroelectronics | |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C | |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C | |
| Mounting Style: | SMD/SMT | |
| Number of Channels: | 1 Channel | |
| Package / Case: | D2PAK-3(TO-263-3) | |
| Pd - Power Dissipation: | 115 W | |
| Product Category: | MOSFET | |
| Product Type: | MOSFET | |
| Qg - Gate Charge: | 55 nC | |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 38 mOhms | |
| Rise Time: | 40 ns | |
| Series: | STB30NF10 | |
| Subcategory: | MOSFETs | |
| Technology: | Si | |
| Transistor Polarity: | N-Channel | |
| Transistor Type: | 1 N-Channel | |
| Type: | MOSFET | |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 45 ns | |
| Typical Turn-On Delay Time: | 15 ns | |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V | |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V | |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Continuous Drain Current | 35 A | |
| Maximum Drain Source Resistance | 45 mΩ | |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V | |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V | |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V | |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C | |
| Maximum Power Dissipation | 115 W | |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C | |
| Mounting Type | Surface Mount | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Package Type | D2PAK(TO-263) | |
| Pin Count | 3 | |
| Series | STripFET II | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Transistor Material | Si | |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 40 nC @ 10 V | |
| Width | 9.35mm | |
| Вес, г | 1.2 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
