MMBF4391LT1G, Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 30 В

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

35 руб.

Мин. кол-во для заказа 14 шт.

от 71 шт. — 28 руб.

от 142 шт. — 26 руб.

от 284 шт. — 23 руб.

Добавить в корзину 14 шт. на сумму 490 руб.

Номенклатурный номер: 8580938051

Артикул: MMBF4391LT1G

Транзисторы / Полевые транзисторы / Транзисторы управляемые p-n переходом

Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 30 В

Корпус	sot-23
Brand	ON Semiconductor
Configuration	Single
Drain-Source Current At Vgs=0	50 mA to 150 mA
Factory Pack Quantity	3000
Manufacturer	ON Semiconductor
Mounting Style	SMD/SMT
Package / Case	SOT-23-3
Packaging	Cut Tape or Reel
Product Category	JFET
Series	MMBF4391L
Transistor Polarity	N-Channel
Type	JFET
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	30 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage	30 V
Channel Type	N
Idss Drain-Source Cut-off Current	50 to 150mA
Maximum Drain Gate Voltage	30V
Maximum Drain Source Resistance	30 Ω
Maximum Drain Source Voltage	30 V
Maximum Gate Source Voltage	+30 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Package Type	SOT-23
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Width	1.3mm
Drain-Gate Voltage (Max)	30(V)
Drain-Source Volt (Max)	30(V)
Gate-Source Voltage (Max)	30(V)
Mounting	Surface Mount
Operating Temperature (Max)	150C
Operating Temperature (Min)	-55C
Operating Temperature Classification	Military
Rad Hardened	No
Вес, г	0.05